Samsung trong những ngày gần đây đã bắt đầu thử nghiệm chip nhớ DDR4 dung lượng 32 Gb. Những sản phẩm mới sẽ đơn giản hóa qúa trình sản xuẩt module bộ nhớ có dung lượng cao, cấu tạo từ nhiều DRAM package.
Chip 32Gb A-die DDR4-2666 của Samsung được cấu tạo từ 2 die 16Gb DDR4 xếp chồng, được sản xuất từ tiến trình công nghệ 10nm thế hệ 2 của hãng. Samsung cung cấp 2 lựa chọn phiên bản package: một phiên bản có cấu tạo 2G x8, phiên bản khác có cấu tạo 1G x16. Với phiên bản đầu được controller của bộ nhớ coi như 2 thiết bị trong khi cái sau được coi như 1 thiết bị DRAM riêng biệt. Dual die package sở hữu form-factor với số lượng FBGA 78 hoặc 96 bóng tiêu chuẩn và sử dụng điện áp tiêu chuẩn trong ngành là 1.2V .
Chip bộ nhớ DDR4 32 Gb sẽ cho phép các nhà sản xuất mô-đun và PC sử dụng ít chip DRAM hơn để xây dựng các giải pháp dung lượng cao cho các ứng dụng yêu cầu mật độ bộ nhớ cao và cấu trúc nhỏ. Rõ ràng, các nodule bộ nhớ xếp hạng kép vẫn sẽ cần hỗ trợ từ các memory controller, nhưng ít nhất sẽ dễ dàng hơn để xây dựng các hệ thống bộ nhớ dung lượng cao sử dụng các chip này.
Samsung không tiết lộ giá của DDP DDR4-2666 32 Gb của mình, nhưng rõ ràng là chúng sẽ được bán với giá cao vì thực tế là công nghệ này chỉ độc quyền ở Samsung và chúng khó chế tạo hơn SDP.
