PV Tech News – CXMT Trung Quốc vừa chính thức bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt với công nghệ DRAM thế hệ thứ 5 (G5), sử dụng kỹ thuật in thạch bản tứ trùng (quadruple-patterning) để thu nhỏ nửa bước sóng (half-pitch) vùng hoạt động xuống còn 11,95nm, đưa công nghệ DRAM nội địa Trung Quốc tiệm cận nhóm tiến trình 10nm-class tiên tiến trên thế giới.
Cuộc đua thu nhỏ tiến trình sản xuất DRAM đang diễn ra ngày càng khốc liệt khi nhu cầu bộ nhớ cho smartphone, AI và các thiết bị di động thế hệ mới liên tục tăng cao. Trong bối cảnh đó, CXMT – nhà sản xuất DRAM hàng đầu Trung Quốc vừa công bố công nghệ tiến trình thế hệ thứ 5, được công ty gọi tên là G5. Điểm đáng chú ý nhất là chỉ số half-pitch vùng hoạt động được đưa xuống 11,95nm, tương ứng với pitch vùng hoạt động 23,9nm, đưa thông số này vào phạm vi tương đương với các công nghệ DRAM 10nm-class tiên tiến khác trên thị trường. Tuy nhiên, CXMT lưu ý con số này không thể quy đổi trực tiếp sang các ký hiệu node DRAM truyền thống mà các hãng khác thường dùng.
Để đạt được mật độ cao hơn, CXMT đã áp dụng quy trình HKMG (high-K metal gate) tối ưu riêng cho DRAM, giúp giảm chiều cao của mảng ô nhớ lõi (core cell array) xuống còn 6.762nm. Bên cạnh đó, công ty cũng điều chỉnh quy trình sản xuất và đưa vào sử dụng một số vật liệu mới (chưa được tiết lộ chi tiết) để tạo ra tụ điện lưu trữ (storage capacitor) có tỷ lệ khía cạnh (aspect ratio) giữa độ sâu và độ rộng đạt khoảng 45:1 – nghĩa là tụ điện sâu gấp 45 lần so với chiều rộng của nó.
Tỷ lệ khía cạnh càng cao thì mật độ ô nhớ trên mỗi wafer càng lớn, giúp nhà sản xuất fit được nhiều mảng bộ nhớ hơn trên cùng diện tích, từ đó tăng dung lượng dự kiến trên mỗi chip. Tuy nhiên, đây cũng là bài toán khó với quy trình khắc (etching) và lắng đọng (deposition), vì tỷ lệ càng cao thì độ ổn định cơ học và khả năng sản xuất với hiệu suất (yield) cao càng trở nên thách thức hơn. Để so sánh, SK hynix từng cho biết tỷ lệ khía cạnh của tụ điện sẽ cần vượt mốc 100:1 khi kích thước DRAM tới hạn giảm xuống dưới 10nm trong tương lai, cho thấy CXMT vẫn còn một chặng đường dài phía trước nếu muốn theo kịp các tên tuổi hàng đầu.
Sản phẩm đầu tiên sử dụng công nghệ G5 được CXMT công bố là dòng chip LPDDR5X dung lượng 24Gb, hiện đã bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt. So với thế hệ sản phẩm tương đương trước đó của chính CXMT, dòng chip mới có dung lượng cao hơn tới 50%, đồng thời được cung cấp dưới hai dạng đóng gói khác nhau để phù hợp với nhiều thiết kế thiết bị di động. Theo các báo cáo tại Trung Quốc, chip LPDDR5X 24Gb mới đã bắt đầu được trang bị trên các mẫu smartphone flagship nội địa, đánh dấu bước tiến quan trọng trong nỗ lực tự chủ chuỗi cung ứng bộ nhớ của nước này.
Việc CXMT tiến vào nhóm công nghệ DRAM 10nm-class phản ánh nỗ lực thu hẹp khoảng cách với các tên tuổi lớn như Samsung, SK hynix hay Micron trong bối cảnh Trung Quốc đẩy mạnh tự chủ chuỗi cung ứng bán dẫn. Dù thông số kỹ thuật của G5 khó có thể so sánh trực tiếp 1:1 với các tiến trình cạnh tranh do khác biệt trong cách đo lường và thiết kế, bước tiến này vẫn cho thấy CXMT đang dần làm chủ những công nghệ then chốt như in thạch bản đa lớp và tụ điện tỷ lệ khía cạnh cao – vốn là rào cản kỹ thuật lớn nhất khi tiến trình DRAM ngày càng thu nhỏ.
Với người dùng phổ thông, sự xuất hiện của chip LPDDR5X dung lượng cao hơn từ CXMT có thể góp phần tăng nguồn cung bộ nhớ giá cạnh tranh trên thị trường smartphone Trung Quốc, đồng thời là yếu tố đáng theo dõi với bất kỳ ai quan tâm đến biến động giá linh kiện bộ nhớ trong thời gian tới, do các động thái ở phân khúc sản xuất thường kéo theo tác động dây chuyền đến giá RAM tiêu dùng ở các chu kỳ sau.
Hiện CXMT chưa công bố kế hoạch mở rộng công nghệ G5 sang các dòng sản phẩm DRAM khác ngoài LPDDR5X, cũng như lộ trình phát triển tiến trình thế hệ tiếp theo. Theo dõi Phong Vũ Tech News để cập nhật những tin tức công nghệ mới nhất mỗi ngày nhé!
Nguồn: Tomshardware
Bài viết liên quan:
