Gã khổng lồ công nghệ Samsung tiếp tục khẳng định vị thế của mình trong cuộc đua công nghệ lưu trữ với kế hoạch phát triển chip NAND xếp chồng 400 lớp dành cho ổ cứng SSD dung lượng siêu lớn. Đây là bước đột phá công nghệ quan trọng, dự kiến ra mắt vào năm 2026, nhằm đáp ứng nhu cầu lưu trữ dữ liệu khổng lồ cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI). Cùng Phong Vũ Tech News tìm hiểu chi tiết qua bài viết sau đây.
- TSMC ngừng cung cấp chip AI tiên tiến cho nhiều hãng Trung Quốc
- Chip PC ARM của Nvidia sẽ ra mắt vào tháng 9 năm 2025?
- Thị trường CPU trong 6 tháng cuối năm sẽ có các tên mới nào?
Chip NAND V10: Tương lai lưu trữ AI
Samsung đang đặt nhiều kỳ vọng vào chip NAND V10, thế hệ thứ 10, được phát triển dựa trên công nghệ BV NAND tiên tiến. Công nghệ này cho phép tách riêng các ô nhớ và mạch ngoại vi trên các tấm wafer, rồi kết hợp thành một chip hoàn chỉnh, từ đó giúp giảm nhiệt lượng và tối ưu hiệu suất hoạt động.
So với thế hệ trước, mật độ bit trên mỗi đơn vị diện tích của chip NAND V10 tăng lên 1,6 lần, mở ra khả năng sản xuất ổ SSD có dung lượng lên tới 200 TB. Đây là một giải pháp lưu trữ lý tưởng cho các ứng dụng AI với nhu cầu xử lý dữ liệu lớn.
Lộ trình phát triển NAND đầy tham vọng của Samsung
Không chỉ dừng lại ở chip NAND 400 lớp, Samsung còn có lộ trình phát triển dài hạn, bao gồm kế hoạch ra mắt chip NAND V11 với tốc độ truyền dữ liệu tăng hơn 50% vào năm 2027, và tiến xa hơn với các chip NAND trên 1.000 lớp vào năm 2030, củng cố vị thế dẫn đầu trong công nghệ lưu trữ.
Phát triển DRAM và tiến tới kỷ nguyên lưu trữ AI
Song song với NAND, Samsung cũng không ngừng nỗ lực phát triển các dòng DRAM mới, hướng đến kích thước nhỏ hơn 10 nm và hiệu năng vượt trội. Với những bước tiến này, Samsung tiếp tục định hình tương lai công nghệ lưu trữ, hỗ trợ sự phát triển của AI và đưa nhân loại bước vào kỷ nguyên dữ liệu vô hạn.
Với các bước tiến vượt trội trong công nghệ NAND và DRAM, Samsung mở ra kỷ nguyên mới cho lưu trữ dữ liệu, đưa ngành công nghệ tiến xa hơn và sẵn sàng cho kỷ nguyên AI.
